Élus et universitaires lorrains ont inauguré ce lundi 26 mai 2013 l’Institut Lafayette, spécialisé dans les nouveaux matériaux semi-conducteurs. Située à proximité de Georgia Tech Lorraine, la plate-forme d’innovation technologique dote le territoire messin d’outils de recherche de portée européenne.
Après le centre Pompidou-Metz et le Mettis, l’ouverture de l’Institut Lafayette constitue la troisième grande inauguration de l’histoire récente de Metz. L’implantation sur notre territoire d’une référence mondiale de la recherche constitue un pari audacieux que nous avons gagné.
Jean-Luc Bohl, président de la communauté d’agglomération Metz Métropole devant le parterre d’élus et d’universitaires venus assister à l’événement le 26 mai dernier.
Directement issu du partenariat qui lie depuis près d’un quart de siècle Georgia Tech Lorraine et le Georgia Institute of Technology basé à Atlanta, la nouvelle plate-forme d’innovation technologique constitue un site pilote européen de la recherche sur les matériaux semi-conducteurs, les composants et les systèmes dédiés à l’optoélectronique. Les travaux qu’y effectueront les chercheurs publics et privés doivent permettre des avancées décisives en matière d’énergie, d’environnement, de santé, de communication ou de sécurité.
Capteurs solaires végétaux et écrans flexibles
Nous travaillons déjà à des projets innovants portant sur des cellules solaires issues de fibres de bois ou des écrans plats flexibles.
Abdallah Ougazzaden, directeur de Georgia Tech Lorraine et co-président de l’Institut Lafayette
Le site accueille entre autres l’Open lab de PSA, qui y développe des applications de pointe en matière d’optoélectronique, le groupe allemand Aixtron, spécialiste des composants électroniques avancés et la start-up lorraine Captoor, conceptrice d’un capteur de polluants aquatiques.
La visite inaugurale a permis aux invités de découvrir un bâtiment de deux niveaux comportant 2 250 m2 de surface utile, dont 550 m2 de laboratoires et 550 m2 de salles blanches. Des équipements de pointe dédiés aux techniques de MOVPE (Metal organic vapor phase epitaxy) et d’OVDP (Organic vapor phase deposition) y prendront place entre juin prochain et le premier trimestre 2015.
Un coût de 30 millions d’euros
Les travaux sur l’étude, la modélisation et l’optimisation de nouveaux matériaux semi-conducteurs en couches minces ne s’effectueront pas en vase clos. L’institut Lafayette tirera parti de la proximité de Supélec, de Arts et métiers Paris Tech, du CEA Tech Lorraine et de l’IRT M2P et coopérera avec l’Institut Jean Lamour de Nancy. Il s’appuiera également sur le savoir-faire développé par le Georgia Tech Institut d’Atlanta pour valider la pertinence de ses recherches au regard du marché.
Nous interviendrons à la fois dans l’évolution de produits existants et dans l’élaboration de technologies de rupture, sur des marchés aussi porteurs et stratégiques que l’énergie, l’eau, la nourriture. Nous avons été très fiers de constater que notre projet défini en 2007 s’inscrit pleinement dans les objectifs européens Horizon 2020.
Bernard Kippelen, co-président de l’Institut
La structure a mobilisé un investissement de 30 millions d’euros cofinancé par Metz Métropole, l’Etat, l’Union européenne, le conseil régional de Lorraine, le conseil général de la Moselle et Georgia Tech. L’Institut Lafayette emploiera une demi-douzaine de chercheurs à demeure et présente une capacité d’accueil de 34 personnes qui utiliseront les locaux en fonction des contrats de recherche. La structure subviendra à ses besoins grâce aux partenariats avec les entreprises et à son implication dans des projets européens de dimension nationale et internationale.
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